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GermanyMTZJT-779.1B
元器件型号详细信息
原厂型号
MTZJT-779.1B
摘要
DIODE ZENER 9.1V 500MW MSD
详情
二极管 - 齐纳 9.1 V 500 mW ±3% 通孔 MSD
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
带盒（TB）
产品状态
停产
电压 - 齐纳（标称值）(Vz)
9.1 V
容差
±3%
功率 - 最大值
500 mW
阻抗（最大值）(Zzt)
20 Ohms
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
500 nA @ 6 V
工作温度
-
安装类型
通孔
封装/外壳
DO-204AG，DO-34，轴向
供应商器件封装
MSD
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0050
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/二极管/齐纳/单齐纳二极管/Rohm Semiconductor MTZJT-779.1B
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规格书
1(MTZ J Series)
PCN 产品变更/停产
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HTML 规格书
1(MTZ J Series)
价格
-
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制造商 : Microchip Technology
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型号 : 1N5238B
制造商 : Microchip Technology
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