English
Spain
Rusia
Italy
GermanyRGW60TK65DGVC11
元器件型号详细信息
原厂型号
RGW60TK65DGVC11
摘要
IGBT TRNCH FIELD 650V 33A TO3PFM
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 33 A 72 W 通孔 TO-3PFM
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
46 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
管件
Product Status
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
33 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
1.9V @ 15V，30A
功率 - 最大值
72 W
开关能量
480µJ（开），490µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
84 nC
25°C 时 Td（开/关）值
37ns/114ns
测试条件
400V，30A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
92 ns
工作温度
-40°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3PFM，SC-93-3
供应商器件封装
TO-3PFM
基本产品编号
RGW60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Rohm Semiconductor RGW60TK65DGVC11
相关文档
规格书
1(RGW60TK65D)
产品培训模块
()
特色产品
()
价格
数量: 1000
单价: $28.39194
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $33.30558
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $39.1239
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $47.753
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $53.18
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : RGW60TK65GVC11
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 450
单价. : ¥46.90000
替代类型. : 参数等效
库存 : 450
单价. : ¥46.90000
替代类型. : 参数等效