元器件型号详细信息

原厂型号
FQD8P10TF
摘要
MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK
详情
表面贴装型 P 通道 100 V 6.6A(Tc) 2.5W(Ta),44W(Tc) TO-252AA
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
卷带(TR)
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.6A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
530 毫欧 @ 3.3A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
15 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
470 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
2.5W(Ta),44W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
TO-252AA
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
FQD8

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi FQD8P10TF

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环保信息
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EDA 模型
1(FQD8P10TF by Ultra Librarian)

价格

-

替代型号

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制造商 : Vishay Siliconix
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