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元器件型号详细信息
原厂型号
APTC90TAM60TPG
摘要
MOSFET 6N-CH 900V 59A SP6-P
详情
MOSFET - 阵列 900V 59A 462W 底座安装 SP6-P
原厂/品牌
Microsemi Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
100
供应商库存
技术参数
制造商
Microsemi Corporation
系列
CoolMOS™
包装
托盘
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
6 N-沟道（3 相桥）
FET 功能
超级结
漏源电压（Vdss）
900V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
59A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
60 毫欧 @ 52A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 6mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
540nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
13600pF @ 100V
功率 - 最大值
462W
工作温度
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP6
供应商器件封装
SP6-P
基本产品编号
APTC90
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
APTC90TAM60TPG-ND
150-APTC90TAM60TPG
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Microsemi Corporation APTC90TAM60TPG
相关文档
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(STD Dev EOL Jul/2018)
HTML 规格书
1(APTC90TAM60TPG)
价格
-
替代型号
-