English
Spain
Rusia
Italy
GermanyFQU2N60CTU
元器件型号详细信息
原厂型号
FQU2N60CTU
摘要
MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
详情
通孔 N 通道 600 V 1.9A（Tc） 2.5W（Ta），44W（Tc） I-PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
QFET®
包装
管件
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
1.9A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4.7 欧姆 @ 950mA，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
12 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
235 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），44W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
I-PAK
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
基本产品编号
FQU2N60
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FQU2N60CTU
相关文档
规格书
1(FQD2N60C, FQU2N60C)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 30/Jun/2022)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Chg 20/Dec/2019)
PCN 封装
()
HTML 规格书
1(FQD2N60C, FQU2N60C)
价格
-
替代型号
型号 : STU2N62K3
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 类似
型号 : IRFUC20PBF
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 9
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似
库存 : 9
单价. : ¥12.72000
替代类型. : 类似
型号 : STU2N80K5
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 994
单价. : ¥10.73000
替代类型. : 类似
库存 : 994
单价. : ¥10.73000
替代类型. : 类似
型号 : STD2HNK60Z-1
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 3,079
单价. : ¥11.92000
替代类型. : 类似
库存 : 3,079
单价. : ¥11.92000
替代类型. : 类似