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GermanyNIF9N05CLT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NIF9N05CLT1G
摘要
MOSFET N-CH 59V 2.6A SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 59 V 2.6A（Ta） 1.69W（Ta） SOT-223（TO-261）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
59 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
3V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
125 毫欧 @ 2.6A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
7 nC @ 4.5 V
Vgs（最大值）
±15V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
250 pF @ 35 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.69W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223（TO-261）
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
NIF9N05
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NIF9N05CLT1GOSCT
2156-NIF9N05CLT1G
ONSONSNIF9N05CLT1G
NIF9N05CLT1GOS-ND
=NIF9N05CLT1GOSCT-ND
NIF9N05CLT1GOS
NIF9N05CLT1GOSTR
NIF9N05CLT1GOSDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NIF9N05CLT1G
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规格书
1(NIF9N05CL)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
1(Datasheet MSL Updated 2/April/2007)
HTML 规格书
1(NIF9N05CL)
EDA 模型
1(NIF9N05CLT1G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
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