元器件型号详细信息

原厂型号
WNSC12650T6J
摘要
DIODE SIL CARBIDE 650V 12A 5DFN
详情
二极管 650 V 12A 表面贴装型 5-DFN(8x8)
原厂/品牌
WeEn Semiconductors
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
WeEn Semiconductors
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
技术
SiC(Silicon Carbide)Schottky
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
650 V
电流 - 平均整流 (Io)
12A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.8 V @ 12 A
速度
无恢复时间 > 500mA(Io)
反向恢复时间 (trr)
0 ns
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
60 µA @ 650 V
不同 Vr、F 时电容
328pF @ 1V,1MHz
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
4-VSFN 裸露焊盘
供应商器件封装
5-DFN(8x8)
工作温度 - 结
175°C
基本产品编号
WNSC1

相关信息

RoHS 状态
符合 RoHS 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

WNSC12650TJ
1740-WNSC12650TJCT
1740-WNSC12650TJCT-ND
1740-WNSC12650T6JCT

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/WeEn Semiconductors WNSC12650T6J

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规格书
1(WNSC12650T)
PCN 组装/来源
()
HTML 规格书
1(WNSC12650T)

价格

数量: 3000
单价: $15.47784
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $15.47784
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $17.64268
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $20.7246
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $25.296
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $28.14
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $15.47784
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
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最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $28.14
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : WNSC5D12650T6J
制造商 : WeEn Semiconductors
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
替代类型. : MFR Recommended