English
Spain
Rusia
Italy
GermanyNCP303150MNTWG
元器件型号详细信息
原厂型号
NCP303150MNTWG
摘要
IC GATE DRVR HALF BRD/LOW PQFN39
详情
半桥，低压侧 栅极驱动器 IC 非反相 39-PQFN（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
allaboutcomponents.com 可编程
未验证
驱动配置
半桥，低压侧
通道类型
单路
驱动器数
2
栅极类型
N 沟道 MOSFET
电压 - 供电
4.5V ~ 5.5V
逻辑电压 - VIL，VIH
0.65V，2.7V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）
100mA，100mA
输入类型
非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）
30 V
上升/下降时间（典型值）
17ns，26ns
工作温度
-40°C ~ 125°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
39-PowerVFQFN
供应商器件封装
39-PQFN（5x6）
基本产品编号
NCP303150
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
其它名称
2832-NCP303150MNTWGTR
NCP303150MNTWG-ND
488-NCP303150MNTWGCT
488-NCP303150MNTWGTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/电源管理（PMIC）/栅极驱动器/onsemi NCP303150MNTWG
相关文档
规格书
1(NCP303150)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Obsolete Notice 15/Dec/2022)
PCN 组装/来源
1(Material Change 12/Dec/2022)
HTML 规格书
1(NCP303150)
价格
-
替代型号
-