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20250512
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元器件资讯
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W987D6HBGX6E
元器件型号详细信息
原厂型号
W987D6HBGX6E
摘要
IC DRAM 128MBIT PAR 54VFBGA
详情
SDRAM - 移动 LPSDR 存储器 IC 128Mb 并联 166 MHz 5.4 ns 54-VFBGA(8x9)
原厂/品牌
Winbond Electronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
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技术参数
制造商
Winbond Electronics
系列
-
包装
托盘
产品状态
停产
存储器类型
易失
存储器格式
DRAM
技术
SDRAM - 移动 LPSDR
存储容量
128Mb
存储器组织
8M x 16
存储器接口
并联
时钟频率
166 MHz
写周期时间 - 字,页
15ns
访问时间
5.4 ns
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-25°C ~ 85°C(TC)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
54-TFBGA
供应商器件封装
54-VFBGA(8x9)
基本产品编号
W987D6
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.32.0002
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路(IC)/存储器/存储器/Winbond Electronics W987D6HBGX6E
相关文档
规格书
1(W987D6HB/2HB)
环保信息
1(Winbond Electronics RoHS Cert)
PCN 产品变更/停产
1(DRAM 30-Apr-2022)
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Shelf Life 1/Jul/2021)
PCN 封装
1(Dessicant Supplier Chg 3/May/2016)
EDA 模型
1(W987D6HBGX6E by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-
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