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GermanyVT6K1T2CR
元器件型号详细信息
原厂型号
VT6K1T2CR
摘要
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A VMT6
详情
MOSFET - 阵列 20V 100mA 120mW 表面贴装型 VMT6
原厂/品牌
Rohm Semiconductor
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
8,000
供应商库存
技术参数
制造商
Rohm Semiconductor
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
最后售卖
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平栅极，1.2V 驱动
漏源电压（Vdss）
20V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
-
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.1pF @ 10V
功率 - 最大值
120mW
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-SMD，扁平引线
供应商器件封装
VMT6
基本产品编号
VT6K1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
VT6K1T2CRDKR
VT6K1T2CRCT
VT6K1T2CRTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Rohm Semiconductor VT6K1T2CR
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环保信息
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PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 1/Sep/2021)
EDA 模型
()
仿真模型
1(VT6K1 Spice Model)
价格
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