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Germany3LP01C-TB-H
元器件型号详细信息
原厂型号
3LP01C-TB-H
摘要
MOSFET P-CH 30V 100MA 3CP
详情
表面贴装型 P 通道 30 V 100mA（Ta） 250mW（Ta） SC-59-3/CP3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
P 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1.5V，4V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
10.4 欧姆 @ 50mA，4V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
-
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
1.43 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7.5 pF @ 10 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
250mW（Ta）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SC-59-3/CP3
封装/外壳
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
基本产品编号
3LP01
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
2156-3LP01C-TB-H-ONTR-ND
2156-3LP01C-TB-H
ONSONS3LP01C-TB-H
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi 3LP01C-TB-H
相关文档
规格书
1(3LP01C)
环保信息
1(onsemi RoHS)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Devices 28/Apr/2017)
EDA 模型
1(3LP01C-TB-H by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-