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GermanyNTMFD4901NFT1G
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMFD4901NFT1G
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 8DFN
详情
MOSFET - 阵列 30V 10.3A，17.9A 1.1W，1.2W 表面贴装型 8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,500
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 个 N 通道（双），肖特基
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
10.3A，17.9A
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.5 毫欧 @ 10A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
9.7nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1150pF @ 15V
功率 - 最大值
1.1W，1.2W
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-PowerTDFN
供应商器件封装
8-DFN（5x6）双标记（SO8FL-双通道-非对称）
基本产品编号
NTMFD4901
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSNTMFD4901NFT1G
NTMFD4901NFT1G-ND
NTMFD4901NFT1GOSCT
2156-NTMFD4901NFT1G-OS
NTMFD4901NFT1GOSDKR
NTMFD4901NFT1GOSTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NTMFD4901NFT1G
相关文档
规格书
1(NTMFD4901NF)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 01/Oct/2021)
PCN 组装/来源
1(Wafer Capacity Expansion 21/May/2015)
HTML 规格书
1(NTMFD4901NF)
EDA 模型
1(NTMFD4901NFT1G by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : FDMS3604S
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥11.53000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥11.53000
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