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GermanySI7846DP-T1-GE3
元器件型号详细信息
原厂型号
SI7846DP-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 150V 4A PPAK SO-8
详情
表面贴装型 N 通道 150 V 4A（Ta） 1.9W（Ta） PowerPAK® SO-8
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
36 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
150 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
50 毫欧 @ 5A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
36 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
1.9W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® SO-8
封装/外壳
PowerPAK® SO-8
基本产品编号
SI7846
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SI7846DP-T1-GE3-ND
SI7846DP-T1-GE3TR
742-SI7846DP-T1-GE3TR
SI7846DP-T1-GE3CT
SI7846DP-T1-GE3TR-ND
742-SI7846DP-T1-GE3CT
742-SI7846DP-T1-GE3DKR
SI7846DP-T1-GE3DKR
SI7846DP-T1-GE3CT-ND
SI7846DP-T1-GE3DKR-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SI7846DP-T1-GE3
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1(SI7846DP)
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1(SI7846DP)
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