English
Spain
Rusia
Italy
GermanySTB22NM60N
元器件型号详细信息
原厂型号
STB22NM60N
摘要
MOSFET N-CH 600V 16A D2PAK
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 16A（Tc） 125W（Tc） D²PAK（TO-263）
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
MDmesh™ II
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
220 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1300 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D²PAK（TO-263）
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
STB22
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
497-10298-2
-497-10298-6
497-10298-1
-497-10298-1
-497-10298-2
497-10298-6
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STB22NM60N
相关文档
规格书
1(STx22NM60N)
其他相关文档
1(STB22NM60N View All Specifications)
产品培训模块
1(STMicroelectronics ST MOSFETs)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(IPG-PWR/14/8603 21/Jul/2014)
HTML 规格书
1(STx22NM60N)
价格
-
替代型号
型号 : IXTA20N65X
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥63.18740
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥63.18740
替代类型. : 类似
型号 : IPB60R299CPAATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 0
单价. : ¥27.75000
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥27.75000
替代类型. : 类似
型号 : IXFA18N60X
制造商 : IXYS
库存 : 0
单价. : ¥53.66580
替代类型. : 类似
库存 : 0
单价. : ¥53.66580
替代类型. : 类似
型号 : SPB20N60C3ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 9,190
单价. : ¥50.08000
替代类型. : 类似
库存 : 9,190
单价. : ¥50.08000
替代类型. : 类似
型号 : IPB60R190C6ATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,631
单价. : ¥29.49000
替代类型. : 类似
库存 : 1,631
单价. : ¥29.49000
替代类型. : 类似
型号 : R6015ENJTL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 4
单价. : ¥31.80000
替代类型. : 类似
库存 : 4
单价. : ¥31.80000
替代类型. : 类似
型号 : R6015KNJTL
制造商 : Rohm Semiconductor
库存 : 2,000
单价. : ¥22.98000
替代类型. : 类似
库存 : 2,000
单价. : ¥22.98000
替代类型. : 类似
型号 : IPB60R199CPATMA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 1,981
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似
库存 : 1,981
单价. : ¥36.57000
替代类型. : 类似