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20251130
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元器件资讯
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BSS119NH6433XTMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSS119NH6433XTMA1
摘要
MOSFET N-CH 100V 190MA SOT23-3
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 190mA(Ta) 500mW(Ta) PG-SOT23-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
10,000
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带(TR)
产品状态
allaboutcomponents.com 停止提供
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
190mA(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
6 欧姆 @ 190mA,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.3V @ 13µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
0.6 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
20.9 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
500mW(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-SOT23-3
封装/外壳
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
基本产品编号
BSS119
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Infineon Technologies BSS119NH6433XTMA1
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价格
数量: 100000
单价: $0.63467
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 50000
单价: $0.64459
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 30000
单价: $0.71896
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
数量: 10000
单价: $0.76855
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 10000
替代型号
型号 : BSS123IXTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 31,961
单价. : ¥2.94000
替代类型. : 直接
型号 : BSS119NH6327XTSA1
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 67,316
单价. : ¥3.34000
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