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元器件型号详细信息
原厂型号
SCTW40N120G2V
摘要
SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120
详情
通孔 N 通道 1200 V 36A（Tc） 278W（Tc） HiP247™
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
52 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
36A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
18V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
100 欧姆 @ 20A，18V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4.9V @ 1mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
61 nC @ 18 V
Vgs（最大值）
+22V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1233 pF @ 800 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
278W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
HiP247™
封装/外壳
TO-247-3
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics SCTW40N120G2V
相关文档
规格书
1(SCTW40N120G2V)
PCN 设计/规格
1(Lead Frame Base Material 20/Dec/2021)
PCN 组装/来源
1(SCTx/Hx/Wx 16/Jun/2022)
EDA 模型
1(SCTW40N120G2V by Ultra Librarian)
价格
数量: 500
单价: $118.62386
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $133.3495
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $157.895
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $171.79
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-