STP18N60DM2

元器件型号详细信息

原厂型号

STP18N60DM2

摘要

MOSFET N-CH 600V 12A TO220

详情

通孔 N 通道 600 V 12A（Tc） 90W（Tc） TO-220

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

MDmesh™ DM2

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

12A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

295 毫欧 @ 6A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

20 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±25V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

800 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

90W（Tc）

工作温度

150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

STP18

其它名称

497-16338-5-ND

497-16338-5

497-STP18N60DM2

-497-16338-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STP18N60DM2

价格

数量: 5000

单价: $9.50672
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $9.87235
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $10.60363
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $12.79756
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $15.5764
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $19.381
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $21.54
包装: 管件
最小包装数量: 1

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制造商 : IXYS
库存 : 0
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替代类型. : 类似

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制造商 : onsemi
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制造商 : IXYS
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KA1-MV10305M2 341-034-522-203 345-060-525-408 RN73R1ETTP3010F10 MAX6388XS31D4-T

STP18N60DM2

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