元器件型号详细信息

原厂型号
BSO615NGXUMA1
摘要
MOSFET N/P-CH 8-SOIC
详情
MOSFET - 阵列 60V 2.6A 2W(Ta) 表面贴装型 PG-DSO-8
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
Automotive, AEC-Q101, SIPMOS®
包装
卷带(TR)
产品状态
最后售卖
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压(Vdss)
60V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
2.6A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
150 毫欧 @ 2.6A,4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 20µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
20nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
380pF @ 25V
功率 - 最大值
2W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
PG-DSO-8
基本产品编号
BSO615

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3(168 小时)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

448-BSO615NGXUMA1DKR
448-BSO615NGXUMA1CT
448-BSO615NGXUMA1TR
SP005353857

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies BSO615NGXUMA1

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规格书
1(BSO 615N G)
PCN 封装
1(Mult Dev Cover Tape Chg 13/Jul/2022)
HTML 规格书
1(BSO 615N G)

价格

数量: 12500
单价: $3.61982
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 5000
单价: $3.76122
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 2500
单价: $3.95918
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 2500
数量: 1000
单价: $4.24198
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $5.37312
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $6.5044
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $8.339
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $9.3
包装: 剪切带(CT)
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $9.3
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : STS4DNF60L
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 1,212
单价. : ¥18.28000
替代类型. : 类似