元器件型号详细信息

原厂型号
TK10A80W,S4X
摘要
MOSFET N-CH 800V 9.5A TO220SIS
详情
通孔 N 通道 800 V 9.5A(Ta) 40W(Tc) TO-220SIS
原厂/品牌
Toshiba Semiconductor and Storage
原厂到货时间
20 周
EDA/CAD 模型
标准包装
50

技术参数

制造商
Toshiba Semiconductor and Storage
系列
DTMOSIV
包装
管件
Product Status
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
800 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
9.5A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
550 毫欧 @ 4.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4V @ 450µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
19 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1150 pF @ 300 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
40W(Tc)
工作温度
150°C
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220SIS
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
TK10A80

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

TK10A80WS4X
TK10A80W,S4X(S
264-TK10A80W,S4X
TK10A80WS4X-ND

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Toshiba Semiconductor and Storage TK10A80W,S4X

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规格书
1(TK10A80W)
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1(TK10A80W by Ultra Librarian)

价格

数量: 5000
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包装: 管件
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