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元器件型号详细信息
原厂型号
TSM4ND65CI
摘要
MOSFET N-CH 650V 4A ITO220
详情
通孔 N 通道 650 V 4A（Tc） 41.6W（Tc） ITO-220
原厂/品牌
Taiwan Semiconductor Corporation
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Taiwan Semiconductor Corporation
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
650 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
4A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 欧姆 @ 1.2A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.8V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
16.8 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
596 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
41.6W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
ITO-220
封装/外壳
TO-220-3 全封装，隔离接片
基本产品编号
TSM4
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
1801-TSM4ND65CI
TSM4ND65CI-ND
TSM4ND65CI RLG
TSM4ND65CI C0G
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Taiwan Semiconductor Corporation TSM4ND65CI
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规格书
1(TSM4ND65CI)
环保信息
()
EDA 模型
1(TSM4ND65CI by SnapEDA)
价格
数量: 5000
单价: $9.3841
包装: 管件
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替代型号
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