元器件型号详细信息

原厂型号
IRF7313TRPBF
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
详情
MOSFET - 阵列 30V 6.5A 2W 表面贴装型 8-SO
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000

技术参数

制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
MOSFET(金属氧化物)
配置
2 N-通道(双)
FET 功能
-
漏源电压(Vdss)
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
6.5A
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
29 毫欧 @ 5.8A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
1V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
33nC @ 10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
650pF @ 25V
功率 - 最大值
2W
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
供应商器件封装
8-SO
基本产品编号
IRF731

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

IRF7313PBFDKR
SP001562160
IRF7313PBFCT
IRF7313PBFTR
*IRF7313TRPBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/FET、MOSFET 阵列/Infineon Technologies IRF7313TRPBF

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HTML 规格书
1(IRF7313PbF)
仿真模型
1(IRF7313 Saber Model)

价格

数量: 28000
单价: $2.74827
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 12000
单价: $2.83692
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 8000
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包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 4000
数量: 4000
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