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元器件型号详细信息
原厂型号
AUIRF1018E
摘要
MOSFET N-CH 60V 79A TO220AB
详情
通孔 N 通道 60 V 79A（Tc） 110W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
79A（Tc）
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
8.4 毫欧 @ 47A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
69 nC @ 10 V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2290 pF @ 50 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
AUIRF1018
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies AUIRF1018E
相关文档
规格书
1(AUIRF1018E Overview)
其他相关文档
1(Part Number Guide)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Site Add 6/Nov/2015)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(AUIRF1018E Overview)
EDA 模型
1(AUIRF1018E by SnapEDA)
价格
数量: 1000
单价: $9.63091
包装: 管件
最小包装数量: 1000
包装: 管件
最小包装数量: 1000
替代型号
-