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GermanyFCP16N60N-F102
元器件型号详细信息
原厂型号
FCP16N60N-F102
摘要
MOSFET N-CH 600V 16A TO220F
详情
通孔 N 通道 600 V 16A（Tc） 134.4W（Tc） TO-220F
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
16A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
199 毫欧 @ 8A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
52.3 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±30V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2170 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
134.4W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220F
封装/外壳
TO-220-3 整包
基本产品编号
FCP16
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FCP16N60N_F102-ND
FCP16N60N_F102
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FCP16N60N-F102
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规格书
1(FCP16N60N(T))
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 01/Oct/2021)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Mold Chg 28/Oct/2019)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FCP16N60N(T))
EDA 模型
1(FCP16N60N-F102 by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
型号 : NTP185N60S5H
制造商 : onsemi
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