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GermanyIRF40H210
元器件型号详细信息
原厂型号
IRF40H210
摘要
MOSFET N-CH 40V 100A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 100A（Tc） 125W（Tc） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
4,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®, StrongIRFET™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
6V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.7 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.7V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
152 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
5406 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerVDFN
基本产品编号
IRF40H210
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IRF40H210TR
IRF40H210DKR
SP001571340
IRF40H210CT
IRF40H210-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRF40H210
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规格书
1(IRF40H210)
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特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
()
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(Mult Dev Assembly Site Add 9/Aug/2018)
PCN 封装
1(Package Drawing Update 19/Aug/2015)
HTML 规格书
1(IRF40H210)
仿真模型
1(IRF40H210 Saber Model)
价格
数量: 1
单价: $12.08
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $12.08
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
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