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20250429
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元器件资讯
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IGW75N65H5XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGW75N65H5XKSA1
摘要
IGBT TRENCH 650V 120A TO247-3
详情
IGBT 沟道 650 V 120 A 395 W 通孔 PG-TO247-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
50 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
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技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
TrenchStop™
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟道
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
120 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
300 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.1V @ 15V,75A
功率 - 最大值
395 W
开关能量
2.25mJ(开),950µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
160 nC
25°C 时 Td(开/关)值
28ns/174ns
测试条件
400V,75A,8 欧姆,15V
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
PG-TO247-3
基本产品编号
IGW75N65
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001257936
IGW75N65H5XKSA1-ND
448-IGW75N65H5XKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/Infineon Technologies IGW75N65H5XKSA1
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规格书
1(IGW75N65H5)
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1(Mult Dev Wafer Chg 7/Aug/2019)
HTML 规格书
1(IGW75N65H5)
价格
数量: 1000
单价: $30.64465
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $33.42902
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
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数量: 1
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包装: 管件
最小包装数量: 1
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