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GermanyNGTB50N65FL2WG
元器件型号详细信息
原厂型号
NGTB50N65FL2WG
摘要
IGBT TRENCH/FS 650V 100A TO247-3
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 100 A 417 W 通孔 TO-247-3
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
42 周
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
管件
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿（最大值）
650 V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
100 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
200 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）
2V @ 15V，50A
功率 - 最大值
417 W
开关能量
1.5mJ（开），460µJ（关）
输入类型
标准
栅极电荷
220 nC
25°C 时 Td（开/关）值
100ns/237ns
测试条件
400V，50A，10 欧姆，15V
反向恢复时间 (trr)
94 ns
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-247-3
供应商器件封装
TO-247-3
基本产品编号
NGTB50
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
不适用
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ONSONSNGTB50N65FL2WG
2156-NGTB50N65FL2WG-OS
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/onsemi NGTB50N65FL2WG
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规格书
1(NGTB50N65FL2WG)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NGTB50N65FL2WG)
价格
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包装: 管件
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