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GermanyIPD30N03S2L07ATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPD30N03S2L07ATMA1
摘要
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 30A（Tc） 136W（Tc） PG-TO252-3-11
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
6.7 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 85µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
68 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
136W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO252-3-11
封装/外壳
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
基本产品编号
IPD30N
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000254463
2156-IPD30N03S2L07ATMA1-ITTR
IPD30N03S2L-07
IPD30N03S2L07ATMA1TR
IPD30N03S2L-07-ND
IFEINFIPD30N03S2L07ATMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPD30N03S2L07ATMA1
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 2,500
单价. : ¥20.91000
替代类型. : 直接
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 16,510
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库存 : 41,303
单价. : ¥8.35000
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型号 : DMG8880LK3-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥0.00000
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型号 : TSM060N03ECP ROG
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库存 : 4,637
单价. : ¥13.59000
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型号 : SUD50N03-06AP-E3
制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 5,432
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似
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