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GermanyBSC882N03MSGATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
BSC882N03MSGATMA1
摘要
MOSFET N-CH 34V 22A/100A TDSON
详情
表面贴装型 N 通道 34 V 22A（Ta），100A（Tc） 2.5W（Ta），69W（Tc） PG-TDSON-8-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
5,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
34 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
22A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
2.6 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
55 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
4300 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2.5W（Ta），69W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TDSON-8-1
封装/外壳
8-PowerTDFN
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
BSC882N03MS GTR-ND
BSC882N03MSG
BSC882N03MS GCT-ND
BSC882N03MSGATMA1DKR
BSC882N03MSGATMA1TR
SP000507406
BSC882N03MS G-ND
BSC882N03MS GCT
2156-BSC882N03MSGATMA1
INFINFBSC882N03MSGATMA1
BSC882N03MS G
BSC882N03MS GDKR
BSC882N03MS GDKR-ND
BSC882N03MSGATMA1CT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC882N03MSGATMA1
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HTML 规格书
1(BSC882N03MS G)
价格
-
替代型号
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制造商 : Infineon Technologies
库存 : 9,571
单价. : ¥9.62000
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型号 : CSD17576Q5B
制造商 : Texas Instruments
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型号 : FDMS7670
制造商 : onsemi
库存 : 8,420
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库存 : 13,391
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型号 : SIR818DP-T1-GE3
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库存 : 1,032
单价. : ¥13.43000
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库存 : 2,500
单价. : ¥10.22056
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制造商 : Texas Instruments
库存 : 2,500
单价. : ¥5.50404
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型号 : CSD17501Q5A
制造商 : Texas Instruments
库存 : 2,479
单价. : ¥16.30000
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