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GermanyIPP076N12N3GXKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPP076N12N3GXKSA1
摘要
MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3
详情
通孔 N 通道 120 V 100A（Tc） 188W（Tc） PG-TO220-3
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
50
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
OptiMOS™
包装
管件
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
120 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7.6 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 130µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
101 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6640 pF @ 60 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
188W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO220-3
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
IPP076
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP000652736
IPP076N12N3G
IPP076N12N3 G-ND
IPP076N12N3 G
IPP076N12N3GXKSA1-ND
448-IPP076N12N3GXKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPP076N12N3GXKSA1
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规格书
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PCN 组装/来源
1(Mult Dev A/T 26/Apr/2021)
HTML 规格书
1(IPx076N12N3 G)
仿真模型
1(MOSFET OptiMOS™ 120V N-Channel Spice Model)
价格
数量: 5000
单价: $13.11009
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $13.6222
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $14.33916
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $17.00214
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $19.9725
包装: 管件
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $24.374
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $27.11
包装: 管件
最小包装数量: 1
包装: 管件
最小包装数量: 1
替代型号
-