元器件型号详细信息

原厂型号
VS-8EWS10STRRPBF
摘要
DIODE GEN PURP 1KV 8A DPAK
详情
二极管 1000 V 8A 表面贴装型 D-PAK(TO-252AA)
原厂/品牌
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
技术
标准
电压 - DC 反向 (Vr)(最大值)
1000 V
电流 - 平均整流 (Io)
8A
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
1.1 V @ 8 A
速度
标准恢复 >500ns,> 200mA(Io)
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
50 µA @ 1000 V
不同 Vr、F 时电容
-
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
供应商器件封装
D-PAK(TO-252AA)
工作温度 - 结
-55°C ~ 150°C
基本产品编号
8EWS10

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.10.0080

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/二极管/整流器/单二极管/Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EWS10STRRPBF

相关文档

规格书
1(VS-8EWF(10,12)S-M3)
HTML 规格书
1(VS-8EWF(10,12)S-M3)

价格

-

替代型号

型号 : VS-8EWS10STRR-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥3.93520
替代类型. : 直接
型号 : VS-8EWS10STRL-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥3.93520
替代类型. : 参数等效
型号 : VS-8EWS10STR-M3
制造商 : Vishay General Semiconductor - Diodes Division
库存 : 0
单价. : ¥3.93520
替代类型. : 参数等效