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GermanyNTMYS1D2N04CLTWG
元器件型号详细信息
原厂型号
NTMYS1D2N04CLTWG
摘要
MOSFET N-CH 40V 44A/258A LFPAK4
详情
表面贴装型 N 通道 40 V 44A（Ta），258A（Tc） 3.9W（Ta），134W（Tc） LFPAK4（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
70 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
44A（Ta），258A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
1.2 毫欧 @ 50A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2V @ 180µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
109 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
6330 pF @ 20 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
3.9W（Ta），134W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
LFPAK4（5x6）
封装/外壳
SOT-1023，4-LFPAK
基本产品编号
NTMYS1
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
NTMYS1D2N04CLTWGOSCT
NTMYS1D2N04CLTWGOSTR
NTMYS1D2N04CLTWGOSDKR
NTMYS1D2N04CLTWG-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi NTMYS1D2N04CLTWG
相关文档
规格书
1(NTMYS1D2N04CL)
环保信息
()
PCN 组装/来源
1(Wafer Fab Change 17/Oct/2022)
HTML 规格书
1(NTMYS1D2N04CL)
价格
数量: 3000
单价: $17.12256
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $18.02378
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $21.37102
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $25.1048
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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