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元器件型号详细信息
原厂型号
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR
摘要
IC FLASH RAM 8GBIT PAR 168VFBGA
详情
闪存 - NAND，移动 LPDRAM 存储器 IC 8Gb（NAND），4Gb（LPDRAM） 并联 200 MHz 168-VFBGA（12x12）
原厂/品牌
Micron Technology Inc.
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Micron Technology Inc.
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
存储器类型
非易失性，易失性
存储器格式
FLASH，RAM
技术
闪存 - NAND，移动 LPDRAM
存储容量
8Gb（NAND），4Gb（LPDRAM）
存储器组织
1G x 8（NAND），128M x 32（LPDRAM）
存储器接口
并联
时钟频率
200 MHz
写周期时间 - 字，页
-
电压 - 供电
1.7V ~ 1.95V
工作温度
-25°C ~ 85°C（TA）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
168-VFBGA
供应商器件封装
168-VFBGA（12x12）
基本产品编号
MT29C8G96
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
3（168 小时）
ECCN
3A991B1A
HTSUS
8542.32.0071
其它名称
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR-ND
MT29C8G96MAYBADJV-5WTTR
所属分类/目录
/产品索引 /集成电路（IC）/存储器/存储器/Micron Technology Inc. MT29C8G96MAYBADJV-5 WT TR
相关文档
规格书
1(MT29CxGxxMAxBAxx-5_WT,IT)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 06/Jan/2014)
PCN 封装
1(Standard Pkg Label Chg 20/Feb/2019)
价格
-
替代型号
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