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GermanyIMZ120R045M1XKSA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IMZ120R045M1XKSA1
摘要
SICFET N-CH 1200V 52A TO247-4
详情
通孔 N 通道 1200 V 52A（Tc） 228W（Tc） PG-TO247-4-1
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolSiC™
包装
托盘
Product Status
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
SiCFET（碳化硅）
漏源电压（Vdss）
1200 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
52A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
59 毫欧 @ 20A，15V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
5.7V @ 10mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
52 nC @ 15 V
Vgs（最大值）
+20V，-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1900 pF @ 800 V
FET 功能
电流检测
功率耗散（最大值）
228W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
PG-TO247-4-1
封装/外壳
TO-247-4
基本产品编号
IMZ120
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
SP001346258
448-IMZ120R045M1XKSA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IMZ120R045M1XKSA1
相关文档
规格书
1(IMZ120R045M1)
特色产品
1(Silicon Carbide CoolSiC™ MOSFET)
EDA 模型
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价格
数量: 450
单价: $113.33211
包装: 托盘
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最小包装数量: 1
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替代型号
型号 : MSC025SMA120B4
制造商 : Microchip Technology
库存 : 81
单价. : ¥328.56000
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