IRFH7110TRPBF

元器件型号详细信息

原厂型号

IRFH7110TRPBF

摘要

MOSFET N-CH 100V 11A/58A 8PQFN

详情

表面贴装型 N 通道 100 V 11A（Ta），58A（Tc） 3.6W（Ta），104W（Tc） 8-PQFN（5x6）

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

4,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

包装

卷带（TR）

Product Status

停产

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

100 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

11A（Ta），58A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

13.5 毫欧 @ 35A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4V @ 100µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

87 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

3240 pF @ 25 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

3.6W（Ta），104W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

8-PQFN（5x6）

封装/外壳

8-TQFN 裸露焊盘

其它名称

IRFH7110TRPBFDKR

INFINFIRFH7110TRPBF

IRFH7110TRPBFTR

IRFH7110TRPBFCT

SP001575620

2156-IRFH7110TRPBF

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFH7110TRPBF

价格

-

替代型号

型号 : DMT8012LFG-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥3.08174
替代类型. : 类似

型号 : CSD19534Q5AT

制造商 : Texas Instruments
库存 : 8,428
单价. : ¥10.02000
替代类型. : 类似

型号 : TPN1600ANH,L1Q

制造商 : Toshiba Semiconductor and Storage
库存 : 4,369
单价. : ¥7.00000
替代类型. : 类似

型号 : STL60N10F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,784
单价. : ¥12.08000
替代类型. : 类似

型号 : CSD19534Q5A

制造商 : Texas Instruments
库存 : 13
单价. : ¥8.35000
替代类型. : 类似

型号 : STL90N10F7

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 2,083
单价. : ¥18.60000
替代类型. : 类似

型号 : DMT10H015LCG-13

制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 0
单价. : ¥3.15519
替代类型. : 类似

FW-25-04-L-D-200-075 SIT3809AI-D2-33EE-111.375000 630-2W2-250-2T6 RER60F3920RCSL RNC50J1012BSRE8

IRFH7110TRPBF

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