BSC032NE2LSATMA1

元器件型号详细信息

原厂型号

BSC032NE2LSATMA1

摘要

MOSFET N-CH 25V 22A/84A TDSON

详情

表面贴装型 N 通道 25 V 22A（Ta），84A（Tc） 2.8W（Ta），78W（Tc） PG-TDSON-8-6

原厂/品牌

Infineon Technologies

原厂到货时间

EDA/CAD 模型

标准包装

5,000

供应商库存

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技术参数

制造商

Infineon Technologies

系列

OptiMOS™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

25 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

22A（Ta），84A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.5V，10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

3.2 毫欧 @ 30A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

16 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±20V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1200 pF @ 12 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

2.8W（Ta），78W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

PG-TDSON-8-6

封装/外壳

8-PowerTDFN

基本产品编号

BSC032

其它名称

BSC032NE2LSCT

SP000854378

BSC032NE2LSDKR-ND

BSC032NE2LSCT-ND

BSC032NE2LS

BSC032NE2LS-ND

BSC032NE2LSATMA1DKR

BSC032NE2LSTR-ND

BSC032NE2LSATMA1CT

BSC032NE2LSATMA1TR

BSC032NE2LSDKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies BSC032NE2LSATMA1

价格

数量: 25000

单价: $3.00389
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 10000

单价: $3.03551
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 5000

单价: $3.15409
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 5000

数量: 2000

单价: $3.32008
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.55726
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.50584
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.4544
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.996
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.79
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $3.32008
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $3.55726
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $4.50584
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $5.4544
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $6.996
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $7.79
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

-

CMF55215K00DHRE RG1608P-4121-P-T1 GBB50DYRR AM3703CBPA TCMD-17-T-04.00-01-P01

BSC032NE2LSATMA1

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