元器件型号详细信息

原厂型号
NTD4960NT4G
摘要
MOSFET N-CH 30V 8.9A/55A DPAK
详情
表面贴装型 N 通道 30 V 8.9A(Ta),55A(Tc) 1.07W(Ta),35.71W(Tc) DPAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
2,500

技术参数

制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带(TR)
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
30 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
8.9A(Ta),55A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
8 毫欧 @ 30A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2.5V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
22 nC @ 10 V
Vgs(最大值)
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1300 pF @ 15 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.07W(Ta),35.71W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
DPAK
封装/外壳
TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63
基本产品编号
NTD49

相关信息

湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

NTD4960NT4GOSDKR
NTD4960NT4GOSCT
NTD4960NT4GOSTR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NTD4960NT4G

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规格书
1(NTD4960N)
环保信息
()
HTML 规格书
1(NTD4960N)

价格

-

替代型号

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