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元器件型号详细信息
原厂型号
NVLJD4007NZTAG
摘要
MOSFET 2N-CH 30V 245MA 6WDFN
详情
MOSFET - 阵列 30V 245mA 755mW 表面贴装型 6-WDFN（2x2）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
技术
MOSFET（金属氧化物）
配置
2 N-通道（双）
FET 功能
逻辑电平门
漏源电压（Vdss）
30V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
245mA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
7 欧姆 @ 125mA，4.5V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1.5V @ 100µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
0.75nC @ 4.5V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
20pF @ 5V
功率 - 最大值
755mW
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
6-WDFN 裸露焊盘
供应商器件封装
6-WDFN（2x2）
基本产品编号
NVLJD4007
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
其它名称
NVLJD4007NZTAGOSDKR
2156-NVLJD4007NZTAG-OS
NVLJD4007NZTAGOSCT
ONSONSNVLJD4007NZTAG
NVLJD4007NZTAGOSTR
NVLJD4007NZTAG-ND
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/FET、MOSFET 阵列/onsemi NVLJD4007NZTAG
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规格书
1(NVLJD4007NZ)
环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 08/Jul/2021)
PCN 封装
1(Covering Tape/Material Chg 20/May/2016)
HTML 规格书
1(NVLJD4007NZ)
EDA 模型
1(NVLJD4007NZTAG by Ultra Librarian)
价格
-
替代型号
-