元器件型号详细信息

原厂型号
STGWT30H65FB
摘要
IGBT 650V 30A 260W TO3PL
详情
IGBT 沟槽型场截止 650 V 30 A 260 W 通孔 TO-3P
原厂/品牌
STMicroelectronics
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
30

技术参数

制造商
STMicroelectronics
系列
-
包装
管件
产品状态
停产
IGBT 类型
沟槽型场截止
电压 - 集射极击穿(最大值)
650 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
30 A
电流 - 集电极脉冲 (Icm)
120 A
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2V @ 15V,30A
功率 - 最大值
260 W
开关能量
151µJ(开),293µJ(关)
输入类型
标准
栅极电荷
149 nC
25°C 时 Td(开/关)值
37ns/146ns
测试条件
400V,30A,10 欧姆,15V
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-3P-3,SC-65-3
供应商器件封装
TO-3P
基本产品编号
STGWT30

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-497-14468-5
497-14468-5

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/单 IGBT/STMicroelectronics STGWT30H65FB

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规格书
1(STGW(T)30H65FB)
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1(650 V IGBT HB Series)
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev 7/Apr/2020)
PCN 设计/规格
()
PCN 组装/来源
1(New molding compound 11/Jul/2019)
HTML 规格书
1(STGW(T)30H65FB)

价格

数量: 100
单价: $19.4232
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $23.707
包装: 管件
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $26.39
包装: 管件
最小包装数量: 1

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