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GermanyNJVBUB323ZT4G
元器件型号详细信息
原厂型号
NJVBUB323ZT4G
摘要
TRANS NPN DARL 350V 10A D2PAK
详情
晶体管 - 双极 (BJT) - 单 NPN - 达林顿 350 V 10 A 2MHz 150 W 表面贴装型 D²PAK
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
58 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
晶体管类型
NPN - 达林顿
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）
10 A
电压 - 集射极击穿（最大值）
350 V
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
1.7V @ 250mA，10A
电流 - 集电极截止（最大值）
100µA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
500 @ 5A，4.6V
功率 - 最大值
150 W
频率 - 跃迁
2MHz
工作温度
-65°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商器件封装
D²PAK
基本产品编号
NJVBUB323
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
488-NJVBUB323ZT4GCT
NJVBUB323ZT4G-ND
488-NJVBUB323ZT4GDKR
488-NJVBUB323ZT4GTR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/双极（BJT）/单双极晶体管/onsemi NJVBUB323ZT4G
相关文档
规格书
1(BUB323Z)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(Mult Dev Device Marking 1/Aug/2019)
PCN 组装/来源
1(Mult Dev 14/Dec/2022)
HTML 规格书
1(BUB323Z)
EDA 模型
1(NJVBUB323ZT4G by SnapEDA)
价格
数量: 5600
单价: $12.62227
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 2400
单价: $13.11535
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 1600
单价: $13.8056
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
数量: 800
单价: $16.36955
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 800
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最小包装数量: 800
数量: 100
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1
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包装: 剪切带（CT）
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
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包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
替代型号
型号 : BUB323ZT4G
制造商 : onsemi
库存 : 171
单价. : ¥26.71000
替代类型. : 参数等效
库存 : 171
单价. : ¥26.71000
替代类型. : 参数等效