SIHP180N60E-GE3

元器件型号详细信息

原厂型号

SIHP180N60E-GE3

摘要

MOSFET N-CH 600V 19A TO220AB

详情

通孔 N 通道 600 V 19A（Tc） 156W（Tc） TO-220AB

原厂/品牌

Vishay Siliconix

原厂到货时间

69 周

EDA/CAD 模型

标准包装

50

供应商库存

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技术参数

制造商

Vishay Siliconix

系列

E

包装

管件

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

19A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

180 毫欧 @ 9.5A，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

5V @ 250µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

33 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

1085 pF @ 100 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

156W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

通孔

供应商器件封装

TO-220AB

封装/外壳

TO-220-3

基本产品编号

SIHP180

其它名称

SIHP180N60E-GE3DKR-ND

SIHP180N60E-GE3TR

SIHP180N60E-GE3DKRINACTIVE

SIHP180N60E-GE3CT-ND

SIHP180N60E-GE3TR-ND

SIHP180N60E-GE3CT

SIHP180N60E-GE3DKR

SIHP180N60E-GE3TRINACTIVE

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SIHP180N60E-GE3

价格

数量: 5000

单价: $12.48988
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 2000

单价: $12.97778
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $13.6608
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $16.19776
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $19.0273
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $23.221
包装: 管件
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $25.84
包装: 管件
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : SIHG180N60E-GE3

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 329
单价. : ¥29.81000
替代类型. : 参数等效

型号 : TSM60NB190CZ C0G

制造商 : Taiwan Semiconductor Corporation
库存 : 3,910
单价. : ¥59.54000
替代类型. : 类似

型号 : STP26NM60N

制造商 : STMicroelectronics
库存 : 677
单价. : ¥50.56000
替代类型. : 类似

型号 : FCP170N60

制造商 : onsemi
库存 : 800
单价. : ¥55.41000
替代类型. : 类似

型号 : TPH3206PS

制造商 : Transphorm
库存 : 673
单价. : ¥78.70000
替代类型. : 类似

627-3WK3224-4T4 SMP1320-075LF NCV8501D33R2G 2-1102351-6 SQT-147-03-F-5

SIHP180N60E-GE3

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