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GermanyZVN2110GTA
元器件型号详细信息
原厂型号
ZVN2110GTA
摘要
MOSFET N-CH 100V 500MA SOT223
详情
表面贴装型 N 通道 100 V 500mA（Ta） 2W（Ta） SOT-223-3
原厂/品牌
Diodes Incorporated
原厂到货时间
24 周
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Diodes Incorporated
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
500mA（Ta）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
4 欧姆 @ 1A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
2.4V @ 1mA
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
75 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
2W（Ta）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
SOT-223-3
封装/外壳
TO-261-4，TO-261AA
基本产品编号
ZVN2110
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
ZVN2110GCT
ZVN2110GDKRINACTIVE
ZVN2110G
ZVN2110GTR-NDR
ZVN2110GCT-NDR
ZVN2110GTR
ZVN2110GDKR-ND
Q1206752
ZVN2110GDKR
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Diodes Incorporated ZVN2110GTA
相关文档
规格书
1(ZVN2110G)
环保信息
1(Diodes Environmental Compliance Cert)
PCN 设计/规格
1(Date Code Mark Update 13/Jan/2015)
EDA 模型
1(ZVN2110GTA by Ultra Librarian)
价格
数量: 25000
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