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GermanyIGO60R070D1AUMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IGO60R070D1AUMA1
摘要
GANFET N-CH 600V 31A 20DSO
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 31A（Tc） 125W（Tc） PG-DSO-20-85
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
800
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolGaN™
包装
卷带（TR）
Product Status
停产
FET 类型
N 通道
技术
GaNFET（氮化镓）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
31A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
-
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
-
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
1，6V @ 2，6mA
Vgs（最大值）
-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
380 pF @ 400 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
125W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-DSO-20-85
封装/外壳
20-PowerSOIC（0.433"，11.00mm 宽）
基本产品编号
IGO60R070
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IGO60R070D1AUMA1DKR
IGO60R070D1AUMA1TR
IGO60R070D1AUMA1CT
IFEINFIGO60R070D1AUMA1
SP001300362
2156-IGO60R070D1AUMA1
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IGO60R070D1AUMA1
相关文档
规格书
()
其他相关文档
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视频文件
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 28/Jun/2021)
PCN 封装
1(Mult Dev Label Chgs 11/Jan/2018)
HTML 规格书
()
价格
-
替代型号
型号 : IGO60R070D1AUMA2
制造商 : Infineon Technologies
库存 : 100
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接
库存 : 100
单价. : ¥0.00000
替代类型. : 直接