元器件型号详细信息

原厂型号
SISH108DN-T1-GE3
摘要
MOSFET N-CH 20V 14A PPAK1212-8SH
详情
表面贴装型 N 通道 20 V 14A(Ta) 1.5W(Ta) PowerPAK® 1212-8SH
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
63 周
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000

技术参数

制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET® Gen II
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
20 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
14A(Ta)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
4.5V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
4.9 毫欧 @ 22A,10V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
30 nC @ 4.5 V
Vgs(最大值)
±16V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
1.5W(Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PowerPAK® 1212-8SH
封装/外壳
PowerPAK® 1212-8SH
基本产品编号
SISH108

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

SISH108DN-T1-GE3TR
SISH108DN-T1-GE3CT
SISH108DN-T1-GE3DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/Vishay Siliconix SISH108DN-T1-GE3

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规格书
1(SiSH108DN)
HTML 规格书
1(SiSH108DN)
EDA 模型
1(SISH108DN-T1-GE3 by SnapEDA)

价格

数量: 3000
单价: $2.17858
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 3000
数量: 1000
单价: $2.40395
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.00494
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $3.8015
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $4.961
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.64
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $2.40395
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $3.00494
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $3.8015
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $4.961
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $5.64
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

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