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GermanyIPB60R165CPATMA1
元器件型号详细信息
原厂型号
IPB60R165CPATMA1
摘要
MOSFET N-CH 600V 21A TO263-3
详情
表面贴装型 N 通道 600 V 21A（Tc） 192W（Tc） PG-TO263-3-2
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
1,000
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
CoolMOS™ CP
包装
卷带（TR）
产品状态
不适用于新设计
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
21A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
165 毫欧 @ 12A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
3.5V @ 790µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
52 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
2000 pF @ 100 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
192W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
PG-TO263-3-2
封装/外壳
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
基本产品编号
IPB60R165
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
IPB60R165CPDKR-ND
IPB60R165CPCT-ND
IPB60R165CP
IPB60R165CPATMA1DKR
SP000096439
IPB60R165CPTR-ND
IPB60R165CPXT
IPB60R165CPDKR
IPB60R165CP-ND
IPB60R165CPATMA1TR
IPB60R165CPATMA1CT
IPB60R165CPCT
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IPB60R165CPATMA1
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仿真模型
1(CoolMOS™ Power MOSFET 600V CP Spice Model)
价格
数量: 2000
单价: $22.66593
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1000
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最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
替代型号
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替代类型. : 直接
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型号 : STB24NM60N
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 13
单价. : ¥52.23000
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型号 : STB28NM60ND
制造商 : STMicroelectronics
库存 : 427
单价. : ¥67.26000
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