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GermanyFDMS86581-F085
元器件型号详细信息
原厂型号
FDMS86581-F085
摘要
MOSFET N-CHANNEL 60V 30A 8PQFN
详情
表面贴装型 N 通道 60 V 30A（Tc） 50W（Tj） 8-PQFN（5x6）
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
3,000
供应商库存
技术参数
制造商
onsemi
系列
-
包装
卷带（TR）
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
60 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
30A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
15 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
19 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
881 pF @ 30 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
50W（Tj）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
8-PQFN（5x6）
封装/外壳
8-PowerTDFN
基本产品编号
FDMS86
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
FDMS86581_F085
FDMS86581_F085-ND
FDMS86581-F085OSTR
2832-FDMS86581-F085TR
FDMS86581-F085-ND
2156-FDMS86581-F085
ONSONSFDMS86581-F085
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/onsemi FDMS86581-F085
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环保信息
()
PCN 产品变更/停产
1(Mult Dev EOL 16/Jul/2019)
PCN 设计/规格
1(Logo 17/Aug/2017)
PCN 封装
1(Mult Devices 24/Oct/2017)
HTML 规格书
1(FDMS86581-F085)
Forum Discussions
1(On Semiconductor Automotive F085 Status Check)
价格
-
替代型号
型号 : NVMFS5C677NLWFT1G
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥5.85476
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型号 : FDMS86581
制造商 : onsemi
库存 : 0
单价. : ¥3.25973
替代类型. : 参数等效
库存 : 0
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制造商 : Texas Instruments
库存 : 4,760
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型号 : CSD18537NQ5A
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型号 : DMT6016LPS-13
制造商 : Diodes Incorporated
库存 : 2,498
单价. : ¥4.53000
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