English
Spain
Rusia
Italy
GermanyIRFU2905ZPBF
元器件型号详细信息
原厂型号
IRFU2905ZPBF
摘要
MOSFET N-CH 55V 42A IPAK
详情
通孔 N 通道 55 V 42A（Tc） 110W（Tc） IPAK（TO-251AA）
原厂/品牌
Infineon Technologies
原厂到货时间
EDA/CAD 模型
标准包装
75
供应商库存
技术参数
制造商
Infineon Technologies
系列
HEXFET®
包装
管件
产品状态
停产
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
55 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
42A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
14.5 毫欧 @ 36A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
44 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
1380 pF @ 25 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
110W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
IPAK（TO-251AA）
封装/外壳
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA
相关信息
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
*IRFU2905ZPBF
SP001550254
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Infineon Technologies IRFU2905ZPBF
相关文档
规格书
1(IRF(R,U)2905ZPbF)
其他相关文档
1(IR Part Numbering System)
产品培训模块
1(High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers))
设计资源
1(IRFR2905ZPBF Saber Model)
特色产品
1(Data Processing Systems)
PCN 产品变更/停产
1(Multiple Devices 25/Apr/2014)
PCN 组装/来源
1(Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013)
HTML 规格书
1(IRF(R,U)2905ZPbF)
价格
-
替代型号
-