元器件型号详细信息

原厂型号
APTGL90DSK120T3G
摘要
IGBT MODULE 1200V 110A 385W SP3
详情
IGBT 模块 沟槽型场截止 双路降压斩波器 1200 V 110 A 385 W 底座安装 SP3
原厂/品牌
Microchip Technology
原厂到货时间
66 周
EDA/CAD 模型
标准包装

技术参数

制造商
Microchip Technology
系列
-
包装
散装
产品状态
在售
IGBT 类型
沟槽型场截止
配置
双路降压斩波器
电压 - 集射极击穿(最大值)
1200 V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值)
110 A
功率 - 最大值
385 W
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)
2.25V @ 15V,75A
电流 - 集电极截止(最大值)
250 µA
不同 Vce 时输入电容 (Cies)
4.4 nF @ 25 V
输入
标准
NTC 热敏电阻
工作温度
-40°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
底座安装
封装/外壳
SP3
供应商器件封装
SP3
基本产品编号
APTGL90

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

-

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/IGBT/IGBT 模块/Microchip Technology APTGL90DSK120T3G

相关文档

规格书
1(APTGL90DSK120T3G)
环保信息
()
PCN 设计/规格
1(SP3F Plastic Frame Update 16/Jul/2015)
PCN 组装/来源
1(Assembly Site 17/Jan/2023)
PCN 其他
1(Integration 13/May/2020)
HTML 规格书
1(APTGL90DSK120T3G)

价格

数量: 14
单价: $715.86571
包装: 散装
最小包装数量: 14

替代型号

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