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元器件型号详细信息
原厂型号
SUP60030E-GE3
摘要
MOSFET N-CH 80V 120A TO220AB
详情
通孔 N 通道 80 V 120A（Tc） 375W（Tc） TO-220AB
原厂/品牌
Vishay Siliconix
原厂到货时间
78 周
EDA/CAD 模型
标准包装
供应商库存
技术参数
制造商
Vishay Siliconix
系列
TrenchFET®
包装
散装
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）
80 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
120A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
7.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）
3.4 毫欧 @ 30A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）
4V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）
141 nC @ 10 V
Vgs（最大值）
±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）
7910 pF @ 40 V
FET 功能
-
功率耗散（最大值）
375W（Tc）
工作温度
-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型
通孔
供应商器件封装
TO-220AB
封装/外壳
TO-220-3
基本产品编号
SUP60030
相关信息
RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1（无限）
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
其它名称
-
所属分类/目录
/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/Vishay Siliconix SUP60030E-GE3
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规格书
1(SUP60030E)
特色产品
()
HTML 规格书
1(SUP60030E)
EDA 模型
1(SUP60030E-GE3 by SnapEDA)
价格
数量: 5000
单价: $11.975
包装: 散装
最小包装数量: 1
包装: 散装
最小包装数量: 1
数量: 2000
单价: $12.44278
包装: 散装
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 1000
单价: $13.09766
包装: 散装
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 500
单价: $15.53008
包装: 散装
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
数量: 100
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包装: 散装
最小包装数量: 1
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最小包装数量: 1
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数量: 1
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最小包装数量: 1
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替代型号
-