元器件型号详细信息

原厂型号
NVBG060N090SC1
摘要
MOSFET N-CH 900V 5.8/44A D2PAK-7
详情
表面贴装型 N 通道 900 V 5.8A(Ta),44A(Tc) 3.6W(Ta),211W(Tc) D2PAK-7
原厂/品牌
onsemi
原厂到货时间
77 周
EDA/CAD 模型
标准包装
800

技术参数

制造商
onsemi
系列
Automotive, AEC-Q101
包装
卷带(TR)
产品状态
在售
FET 类型
N 通道
技术
MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss)
900 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)
5.8A(Ta),44A(Tc)
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
15V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)
84 毫欧 @ 20A,15V
不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)
4.3V @ 5mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)(最大值)
88 nC @ 15 V
Vgs(最大值)
+19V,-10V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)
1800 pF @ 450 V
FET 功能
-
功率耗散(最大值)
3.6W(Ta),211W(Tc)
工作温度
-55°C ~ 175°C(TJ)
安装类型
表面贴装型
供应商器件封装
D2PAK-7
封装/外壳
TO-263-8,D²Pak(7 引线+接片),TO-263CA
基本产品编号
NVBG060

相关信息

RoHS 状态
符合 ROHS3 规范
湿气敏感性等级 (MSL)
1(无限)
REACH 状态
非 REACH 产品
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

其它名称

488-NVBG060N090SC1CT
488-NVBG060N090SC1TR
488-NVBG060N090SC1DKR

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET,MOSFET/单 FET,MOSFET/onsemi NVBG060N090SC1

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环保信息
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PCN 设计/规格
1(Datasheet Correction 04/May/2021)
PCN 组装/来源
1(NTBG0x/NVBG0x 14/Dec/2022)
PCN 封装
1(PACKING BOX CHANGE 13/Jul/2021)

价格

数量: 800
单价: $104.62836
包装: 卷带(TR)
最小包装数量: 800
数量: 100
单价: $117.6165
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $139.261
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $151.52
包装: 剪切带(CT)
最小包装数量: 1
数量: 100
单价: $117.6165
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 10
单价: $139.261
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1
数量: 1
单价: $151.52
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : NTBG060N090SC1
制造商 : onsemi
库存 : 800
单价. : ¥120.44000
替代类型. : 参数等效