STD1HN60K3

元器件型号详细信息

原厂型号

STD1HN60K3

摘要

MOSFET N-CH 600V 1.2A DPAK

详情

表面贴装型 N 通道 600 V 1.2A（Tc） 27W（Tc） DPAK

原厂/品牌

STMicroelectronics

原厂到货时间

52 周

EDA/CAD 模型

标准包装

2,500

供应商库存

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技术参数

制造商

STMicroelectronics

系列

SuperMESH3™

包装

卷带（TR）

产品状态

在售

FET 类型

N 通道

技术

MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）

600 V

25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)

1.2A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）

8 欧姆 @ 600mA，10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

4.5V @ 50µA

不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）

9.5 nC @ 10 V

Vgs（最大值）

±30V

不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）

140 pF @ 50 V

FET 功能

-

功率耗散（最大值）

27W（Tc）

工作温度

-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型

表面贴装型

供应商器件封装

DPAK

封装/外壳

TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63

基本产品编号

STD1HN60

其它名称

497-STD1HN60K3CT

-497-13748-6

497-13748-6-ND

497-STD1HN60K3DKR

497-13748-6

-497-13748-1

497-13748-2

497-13748-1-ND

497-13748-2-ND

497-13748-1

497-STD1HN60K3TR

-497-13748-2

所属分类/目录

/产品索引 /分立半导体产品/晶体管/FET，MOSFET/单 FET，MOSFET/STMicroelectronics STD1HN60K3

价格

数量: 2500

单价: $5.35938
包装: 卷带（TR）
最小包装数量: 2500

数量: 1000

单价: $5.74221
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.27336
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.8045
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.297
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.64
包装: 剪切带（CT）
最小包装数量: 1

数量: 1000

单价: $5.74221
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 500

单价: $7.27336
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 100

单价: $8.8045
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 10

单价: $11.297
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

数量: 1

单价: $12.64
包装: Digi-Reel® 得捷定制卷带
最小包装数量: 1

替代型号

型号 : IRFR1N60ATRPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 984
单价. : ¥12.32000
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型号 : IRFR1N60APBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 3,000
单价. : ¥12.32000
替代类型. : 类似

型号 : IRFR1N60ATRLPBF

制造商 : Vishay Siliconix
库存 : 99
单价. : ¥11.77000
替代类型. : 类似

SIT5156AE-FA-28VT-26.000000 307-028-456-278 395-142-520-203 342 CFF12JT1K00

STD1HN60K3

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